Project/scholarship details
- Project/scholarship ID
70194
- Reference
PTDC/FIS/70194/2006
- FundRef URI
- Funder
FCT - Fundação para a Ciência e a Tecnologia, I.P.
- Funder's country
Portugal
- Funding program
5876-PPCDTI
- Funding amount
153,182.00 €
- Start date
2007-09-01
- End date
2011-08-31
Documents
Optimização do processo de deposição por laser pulsado de nanopartículas de Si/...
Costa, Liliana Sameiro Monteiro daDissertação de mestrado em Física (Formação Contínua de Professores); Dispositivos de memória flash que utilizam nanopartículas de silício/germânio para o armazenamento de carga têm vindo a receber especial atenção nos últimos anos devido ao seu excelente desempenho, elevada capacidade de memória e miniaturização. A técnica de deposição por laser pulsado é especialmente adequada para o crescimento de filmes fin...
Estudo estrutural de Nanocristais de Si1-xGex embebidos em matrizes dieléctricas
Pinto, S. R. C.Tese de doutoramento em Ciências (área de especialização em Física); Neste trabalho, apresenta-se um estudo da produção de nanocristais (NCs) e o estudo das propriedades estruturais de semicondutores imersos em matrizes dieléctricas . Os NCs foram produzidos pela técnica de pulverização catódica por rádio-frequência, posteriormente, foram sujeitos a tratamentos térmicos em diferentes atmosferas e temperaturas. ...
Low-temperature fabrication of layered self organized ge clusters by RF-sputtering
Pinto, S. R. C.; Rolo, Anabela G.; Buljan, M.; Chahboun, A.; Bernstorff, S.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Kashtiban, R. J.; Bangert, U.; Gomes, M. J. M.In this article, we present an investigation of (Ge + SiO2)/SiO2 multilayers deposited by magnetron sputtering and subsequently annealed at different temperatures. The structural properties were investigated by transmission electron microscopy, grazing incidence small angles X-ray scattering, Rutherford backscattering spectrometry, Raman, and X-ray photoelectron spectroscopies. We show a formation of self-assem...
Influence of annealing conditions on formation of regular lattices of voids and...
Pinto, S. R. C.; Buljan, Maja; Marques, L.; Martín-Sánchez, J.; Chahboun, A.; Barradas, N. P.; Alves, E.; Bernstorff, S.; Ramos, Marta M. D.In this work, the influence of air pressure during the annealing of Ge quantum dot (QD) lattices embedded in an amorphous Al2O3 matrix on the structural, morphological and compositional properties of the film is studied. The formation of a regularly ordered void lattice after performing a thermal annealing process is explored. Our results show that both the Ge desorption from the film and the regular ordering o...
Ge nanocrystals with highly uniform size distribution deposited on alumina at r...
Martín-Sánchez, J.; Marques, L.; Vieira, E. M. F.; Doan, Q. T.; Marchand, A.; El Hdiy, A.; Rolo, Anabela G.; Pinto, S. R. C.; Ramos, Marta M. D.In this work, we report on the synthesis of Ge nanocrystals (NCs) by pulsed laser deposition (PLD) at room temperature (RT) in an argon atmosphere without any further annealing process. Our results show that functional thin films of crystalline Ge nanoparticles with spherical shapes can be obtained by PLD directly on alumina layers deposited on n-doped Si (100) substrates. In addition, we also demonstrate that ...
Carrier storage in Ge nanoparticles produced by pulsed laser deposition
Martín-Sánchez, J.; Chahboun, A.; Gomes, M. J. M.; Rolo, Anabela G.; Pivac, B.; Capan, I.In this work, we report on the electrical characterization of Ge nanoparticles (NPs) produced by pulsed laser deposition (PLD) at room temperature (RT) in Ar gas inert atmosphere using a shadowed off-axis deposition geometry. Our results show that functional thin films of crystalline Ge NPs embedded between thin alumina films can be obtained on p-type Si(100) substrates following a low temperature and short rap...
A shadowed off-axis production of Ge nanoparticles in Ar gas atmosphere by puls...
Martín-Sánchez, J.; Chahboun, A.; Pinto, S. R. C.; Rolo, Anabela G.; Marques, L.; Serna, R.; Vieira, E. M. F.; Ramos, Marta M. D.; Gomes, M. J. M.In this work, we report on the production of Ge nanoparticles (NPs) in an inert Ar gas atmo- sphere by pulsed laser deposition (PLD) at room tem- perature (RT). The direct deposition of energetic par- ticles / droplets resulting from the ablation process of the target material has been avoided by using an origi- nal and customized o -axis shadow mask (shadowed o - axis) deposition set-up where the NPs depositio...
Estruturas baseadas em nanocristais de Si1-xGex em dielétricos com vista à apli...
Vieira, E. M. F.Tese de doutoramento em Ciências (especialidade em Física); Esta tese é dedicada ao estudo de estruturas baseadas em nanocristais (NCs) de Si1-ₓGe-ₓ (0 ≤ x ≤ 1) em matrizes dielétricas de SiO2 e de Al2O3, produzidos pela técnica de pulverização catódica com magnetrão por radio-frequência. As condições de deposição e de tratamento térmico foram investigadas no sentido de se obter NCs com boa cristalinidade, tama...
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<script type="text/javascript">
<!--
document.write('<div id="rcaap-widget"></div>');
document.write('<script type="text/javascript" src="https://www.rcaap.pt/snippet?resource=documents&project=FCT%2F5876-PPCDTI%2F70194&fields=id,titles,creators,issueDate,link,descriptions"></script>');
-->
</script>